钛钯
机能要求
靶材的重要机能要求:
纯度
纯度是靶材的重要机能指标之一，由于靶材的纯度对薄膜的机能影响很大。不外在现实利用中，对靶材的纯度要求也不尽一样。例如，随着微电子行业的迅快发展，硅片尺寸由6", 8"发展到12", 而布线宽杜咨0.5um减幼到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度能够满足0.35umIC的工艺要求，而造备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的重要传染源。分歧用处的靶材对分歧杂质含量的要求也分歧。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
为了削减靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的机能，通常要求靶材拥有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射快率，还影响着薄膜的电学和光学机能。靶材密度越高，薄膜的机能越好。此表，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地接受溅射过程中的扰爪力。密度也是靶材的关键机能指标之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸散布
通常靶材为多晶结构，晶粒大幼可由微米到毫米量级。对于统一种靶材，晶粒藐幼的靶的溅射快率比晶粒粗壮的靶的溅射快率快;而晶粒尺寸相差较幼(散布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度散布更均匀。
